同轴电缆的衰减与连接器有何联系？
同轴电缆的衰减与连接器没有关系，电缆做成组件后的指标为插入损耗，插入损耗一般为电缆的衰减与连接器的衰减共同组成。
同轴电缆衰减计算
高频下同轴电缆的衰减：
α=2.61*(f*ε)^0.5*(K2*Kρ1/d+Kb*Kρ2/D)*10^(-3)/lg((D+1.
5*dw)/(K1*d))+9.10*f*ε^0.5*tgδ*10^(-5)(分贝/公里)
f： 频率（Hz）
ε： 绝缘相对介电常数（实心PE - 2.3；PVC - 5~7；Nylon - 3.5；Paper
- 2.0~2.6；PP - 2.6；FEP - 2~2.2；空气 - 1.0）
D： 绝缘外径（mm）
d： 内导体直径（mm）
tgδ： 绝缘介质损耗角正切值（空气 - 0；PE - 0.0005；PVC - 0.05；FEP -
0.0002；Nylon - 0.009；PP - 0.0007）
K1： 内导体直径系数
K2： 内导体衰减的绞线系数
Kb： 外导体为编织是引起高频电阻增大的编织效应系数 = 1.5+0.083*D
Kρ1： 内导体相对于国际标准软铜的高频电阻增大或减小的系数
Kρ2： 外导体相对于国际标准软铜的高频电阻增大或减小的系数
dw： 编织用导线直径（mm）
第一项为金属损耗造成的衰减，第二项为介质损耗造成的衰减，频率超过几
兆赫时不大于总衰减的1%。
当频率超过几十兆赫时，导体表面发生氧化会产生一种新的损耗--视在介质
损耗，氧化层很薄（约几微米），频率低时（几兆赫以下），电流透入深度（见
相关帖子）有几十微米，电流在氧化层流通的部分较小，氧化产生的影响不大；
但频率高于几十兆赫时，投入深度较小，大部分电流在氧化层传输，氧化层的电
阻率大于导体，使衰减增大，因此要尽可能的消除金属氧化。
公式中有些看不懂啊,其中“^”代表什么啊？
"^"是"密'的意思
如:4^2是4的平方
同意5楼的计算公式。电缆的衰减是导体衰减和介质衰减来组成。
请教铝箔+铝镁合金丝编织作为外导体公式里系数怎么取?
请哪位朋友指教
先谢了
下了学习下
cth1986:这个算起里相当麻烦，算的只是个理论衰减值,就像13楼说的那样对研发新品还有点帮助。我用EXCEL编辑了一个简易计算器，只需输入相应的数据就可以算出各部分的衰减，哪天给大家共享一下。
cth1986:这个算起里相当麻烦，算的只是个理论衰减值,就像13楼说的那样对研发新品还有点帮助。我用EXCEL编辑了一个简易计算器，只需输入相应的数据就可以算出各部分的衰减，哪天给大家共享一下。
老兄，能不能分享下，顺便加个好友？