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USB3.1 IMR和IRL 不良，如何改善？求教大神 - 无图版
lanbing --- 2022-03-04 20:42:41
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各位大神，新手上路，在做32AWG USB3.1 Type-C时，高频参数测试IMR(综合反射)与IRL(积分回损)不良，从线材上该如何改善，请各位大神指点
一二，谢谢！
lgf2005 --- 2022-03-06 11:42:33
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要看每一对的数据吧，IMR 和IRL是多对数据综合计算的，估计有不稳定吧。
mingxiao --- 2022-03-14 13:56:07
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IMR 都NG 衰减应该很差，衰减弄直IMR就OK了，IRL也会好一些
carey210 --- 2022-03-21 08:58:35
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这个原因比较多，有可能导体，也有可能是发泡度，也有可能是对绞，所以你得从工艺查找。
XUZUOMAN --- 2022-03-28 08:18:51
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可能是发泡度
jemeszhao --- 2022-04-25 15:40:46
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信号对的衰减要做成一条直线，不能有尖峰
bogeman --- 2022-05-23 10:27:51
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衰减主要分为两种，导体衰减跟介质衰减，低频一般跟导体有关，高频主要是介质，发泡度是影响衰减的主要指标，发泡介质也有影响，高密度PE高频衰减较好，可以适当提升高密度占比，其次不能忽略的是产品结构，如果外径、导体尺寸有变化会直接影响阻抗，间接影响衰减。测试温度也是影响衰减的主要指标，很多线缆未完全冷却前衰减是偏高的，跟环境温度不符，可以先放置一夜，或者提高一下测试温度。衰减跟回波不是一码事，虽然回波对衰减会造成一定影响，但多数时候可以忽略。回波峰值很有意思，记住计算的缺陷长度是准的，但是造成这个缺陷的原因不是那么容易分析的，不要被公式困住，实际问题实际分析。
匿名 --- 2023-03-28 10:25:25
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870122746 --- 2024-05-18 17:38:23
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