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[USB] USB3.0产品衰减不过

P:2011-02-25 08:38:29

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我的USB3.0产品衰减测试时,在7G左右频率出现一个非常严重的畸变,导致不合格,不知大家有没有好的方法解决

film-covered wire - 薄膜绕包线 (0) 投诉

P:2011-02-25 09:22:06

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估计是生产时张力的问题。

bidirectional optical cable - 双向光缆 (0) 投诉

P:2011-02-25 09:42:41

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对绞绞距太长了,缩短一点就好了。

fish-wire - 电缆牵引线 (0) 投诉

P:2011-02-25 15:30:43

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绞距问题,俺曾经试过的。

SIC - silicon integrated circuit硅集成电路 (0) 投诉

P:2011-02-28 12:04:45

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那对绞节距、包带覆盖率、总绞节距、编组节距按照什么样的关系配合比较好?

transposed strip - 换位导线 (0) 投诉

P:2011-02-28 14:28:26

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以上问题不是绞距的问题,一般情况下或多或少都会有点,很难保证的。

试着调整工艺吧,没办法了。

office channel unit - 局内通道单元(综合业务数字网的) (1) 投诉

P:2011-02-28 16:55:11

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可能还要多试几次工艺才行吧,这个东西只有自已一点一点的去改,改后再测,不要怕麻烦才行

PLC - planar lightwave circuit平面光波电路 (0) 投诉

P:2011-03-01 14:15:19

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我之前有过一次,如果加工时铆铁壳上的线夹时太紧,衰减也会影响很大,后来铆的松一点,不能使芯线有一点伤到就可以了。不知道对你有没有帮助.

Specific Indoctiive Capacity - 比电容。即介质常数或介电容数。其含义为以某一种材料为介质之电容量与空气为介质之电容量之比值,此比值数低,表示该材料之电气特性较佳。 (0) 投诉

P:2011-03-01 15:22:29

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LZ 最好能把测试报告传上来,有了数据和图形,也就有了分析的依据,大家也不用根据经验猜了

foam-skin - 泡沫皮,泡沫薄壳,泡沫薄壳绝缘 (0) 投诉

P:2011-03-12 17:23:11

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对绞绞距 P≦18    总绞 P≦50

HCL - hydrogen chloride氯化氢 (0) 投诉

P:2011-03-21 21:02:26

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大侠,小弟想问一个问题,为什么总绞距的绞距越小,衰减越好了?能帮小弟解决一下吗?

steel armour wire - 铠装钢丝 (0) 投诉

P:2011-03-27 19:57:16

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LZ不知你的问题有无解决? 我也在这个频率出现了

disc-inserting device - 嵌片装置 (0) 投诉

P:2011-03-31 09:00:41

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我的看法是,在你的对绞和集合中出出了问题。

不一定是绞距长短的问题,而可以理解成结构的稳定性吧。不知是否有帮助

die-less enamel applicator - 无模涂漆装置 (0) 投诉

P:2011-05-02 10:59:57

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不能说绞距没有问题,长度的长短也会影响衰减,可以试试缩短绞距,如果还不行再看看你的材料结枃。

fiber optic gel delivery system - 光纤涂胶供送系统 (0) 投诉

P:2011-05-19 11:18:07

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我也想知道

INMARSAT - International Maritime Satellite Organization国际海事卫星组织(1979年7月16日在英国成立,为船岸提供高质量的电话、用户电报、数据以及广播信息等通信业务) (0) 投诉

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