通常的同轴电缆都是绝缘外面拖铝箔﹐然后编织或斜包屏蔽。如果将编织或斜包放在内层﹐然后绕包铝箔﹐这种更改会影响哪些性能﹖

目前这个产品要求测试阻抗﹑RL﹑衰减﹑延时等。

我的见解：编织后在绕包铝箔，铝箔只能起到屏蔽的作用，不能均化电场，编织直接和绝缘接触衰减肯定会大很多，阻抗可以控制的，RL会比有铝箔好点，延时应该是不变了，因为延时只和介电常数有关。

75欧姆 的同轴﹐在300kHz时的阻抗有81欧姆﹐150MHz左右变成68欧姆﹐200MHZ后正常74欧姆﹐这种变化曲线是否正常﹐有何方法解决这种波动﹖

zhyx2006:

我的见解：编织后在绕包铝箔，铝箔只能起到屏蔽的作用，不能均化电场，编织直接和绝缘接触衰减肯定会大很多，阻抗可以控制的，RL会比有铝箔好点，延时应该是不变了，因为延时只和介电常数有关。

请教2楼，为什么编织直接和绝缘接触衰减肯定会大很多？

而且我认为有铝箔的时候RL会好一点，因为先有一层铝箔屏蔽的话，相对于编织外导体来说整个芯线外径就更平稳一些。

现在的问题是产品有编织及铝箔两层屏蔽。但是结构是﹕

1﹑编织+铝箔

2﹑铝箔+编织。

我们想讨论上面两种结构的差别。

正常情况下编织+铝箔 RL和阻抗稳定性会差，你可以从测试上考虑。如果一定要用这种结构，在编织密度和张力（角度）上考虑，尽量减小应力。此外你可把芯线做硬点也会有帮助。衰减影响可能不大，屏蔽衰减可能有影响。延时不是很清楚，理论上应该不会有太大变化。

那想问下7楼的,对于 编织+铝箔 这种结构对于RL和阻抗有何影响呢?相对于铝箔+编织的结构,这种结构又有什么不同呢?

理论上，屏蔽后的直径会有区别，同时，绝缘线所受的应力会不同，这样会影响阻抗，从而影响RL.个人见解。

声明，小弟做过实验并多方查阅资料，证实小弟言论无凭空捏造。我使用诺基亚物理发泡线，南洋电工高编机，安捷伦8753D,罗森伯格三同轴测试仪进行试验。

2楼，4楼的哥们：“编织后在绕包铝箔，铝箔只能起到屏蔽的作用，不能均化电场，编织直接和绝缘接触衰减肯定会大很多，阻抗可以控制的，RL会比有铝箔好点，延时应该是不变了，因为延时只和介电常数有关。5MHZ-200MHZ的阻抗，回波损耗1000MHZ在20DB一下而且没有峰值的阻抗都在75+/3范围”

编织和铝箔都会起到作为同轴线回路的地线，都起到屏蔽和均化电场的作用。编织在内层，造成同轴线低频范围的边频补偿增大，接触式电位流增大，从而使得衰减量增加。大约在30M左右情况有所好转，越到高频，（如果可做到少油或者无油编织，一并减少线头开窗），如大约在5G左右时，衰减性能在同类产品中该结构会好于铝箔+编织产品。（至于为何会在高频变的好一些，能够站的主脚的原因小弟至今还没找到，请大侠们指点）

阻抗和回波损耗，在低频变化较大，同轴传输线在回路内传输信号的驻波以纵向和横向波两种，综合方式震荡，该结构首先以横向凡是回传，其驻波对输入阻抗和相位幅角造成影响，大约也会在30M左右开始趋于稳定。

你测试的5-200M的阻抗完全合格，应用的大概诸如安捷伦8714类的的扫频仪吧？属于平均阻抗范畴，不足以说明线缆本身的特征阻抗，如果客户（比方华为，烽火等）要求测试1-30M的阻抗就很难测试了，要用到TDR和分析仪的对比。300KH到200M虽然在大方向的波阻抗趋于平衡，但波动还是比较大的，尤其30M一下会高出约4个欧姆左右。

延时也会发生改变，介电常数因为编织空隙无法100%遮蔽，使得绝缘外径的半径方向的非线性扩大，则实际减小了介电常数，传输速比会在理论上增加，只是这种变化可能会因为分析仪灵敏度的限制扑捉不到。

这种编织+屏蔽的结构增大了电位差，但串音，屏蔽衰减以及耦合阻抗转移都会好于屏蔽+编织结构，（备注：此结果经过罗森伯格三同轴测试仪多次重复试验对比得到）

赞同7楼的兄弟。

会长，只要不是整天曲线提高或猛然下掉，而几个单点在200M一下的超差是正常的

［xiaoyu8161 在 2009-9-5 14:14:40 编辑过］

相应的回波没有26-27DB以上，对应的特性阻抗测试点，偏差要求是75+—3DB,是不可能的

我觉得芯线还是做得不稳定