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[问题求助] USB3.1 高频测试衰减测试NG

P:2016-01-05 19:53:02

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USB3.1 高频测试衰减 14~15G的时候掉天坑,48dB以上,为什么呢?

ohmic conductor - 电阻线,电阻体 (0) 投诉

P:2016-01-06 08:15:11

2

是退扭成缆吗?

quantumshield - 量子屏蔽,量子屏蔽层,量子隔离层(精密漆包线的) (0) 投诉

P:2016-01-06 18:36:04

3

不好意思,未交代清楚,仅包带就有此状况,而且我是平行包带。

overall width - 总宽;线盘外宽 (0) 投诉

P:2016-01-06 21:14:32

4

突波不良一般为芯线不良

lateral displacement loss - 横向位移损耗(光纤接头的) (0) 投诉

P:2016-01-07 16:31:50

5

要结合SKEW、SCD21一起分析。发报告出来看看

follow-up cable - 随动系统电缆 (0) 投诉

P:2016-01-08 09:01:28

6

我相信这个论坛里面是有人知道问题解决的关键点的,但是不一定会告诉你。至包带这个工序,所涉及的物料就几项,所涉及的工艺参数也没几个,你可以通过做多个样品,改变这些参数,然后总结出规律。

putty - 油灰,腻子 (0) 投诉

P:2016-01-08 10:54:36

7

楼上解决了吗?

TIA/EIA - 北美标准化组织。 (0) 投诉

P:2016-01-08 13:01:59

8

这个线材测试多长?是一直都这样还是这一次不好?其实衰减突降这个有两种状况导致。1.峭壁效应这是导体截面所决定的。2.工艺加工过程伤到线身折到或挤压,还有就是绝缘内是不是有烧焦或杂质等,这个是过程控制中导轮顺不顺畅眼模有没有偏小或磨损所致。楼主说的太笼统了,按照这个方向应该可以解决问题。

coated insulation - 涂包绝缘 (0) 投诉

P:2016-01-18 08:27:01

9

包带工序也要用专用的USB3.1包带机,传统的包带机很难到没有这种凹坑。

profile parameter - (折射率)分布参数 (0) 投诉

P:2016-02-18 15:29:54

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可将发泡度提高,我所验证过的发泡度约37%左右,同时如果是对绞的线绞距可从小到大验证一下看看,也许有不错的收获.

pull-down - 拉下;<线的>拉细 (0) 投诉

P:2016-02-18 20:00:53

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huashengzi:
USB3.1 高频测试衰减 14~15G的时候掉天坑,48dB以上,为什么呢?
什么结构的?多长的线啊,现在问题解决了?

main distributing frame - 总配线架 (0) 投诉

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