共模阻抗如何计算 - 简版
謝謝分享
知识是大家的,不属于任何一个人!
实际上产差模阻抗和特性阻抗还是有区别的，其波形图没有特性阻抗平稳，波动大。共模阻抗就更复杂了、实际上也就是接线方式不同而已！
共模我想它的测试应该和COAX一样。
只是共模为芯线与地线之间的介质。
所以只有USB 1394才要求共模阻抗/
好象目前针对此部分的定义还不是很清楚。
2楼的朋友,可以发我一份吗?
lovepf2006@126.com
我门做数据线的一般不求什么差模和共模阻抗的。......转移阻抗到知道点.
有沒有具體的公式呀，我也很想知道。
阻抗= 60×ln(外導體内徑/内導體外徑) （Ω）
√¯ ε (材料的介質系數)
电容=
C = ε×100 （pf/m）
18×ln(外導體内徑/内導體外徑)
VSWR --- 电压驻波比 = （1+ρ）/（1-ρ）
ρ ---- 反射系数
屏蔽衰減：用A來表示(奈)，屏蔽衰減越大，屏蔽效果越好。
a. 屏蔽層越厚 b. 屏蔽用材料的電導係數σ越大越好，銅最好，其次鋁，鉛等。
c. 介質與金屬的波阻抗相差愈大，反射衰減愈大，屏蔽效果也愈大。
d. 多層屏蔽体比一層同厚度屏蔽体的屏蔽效果好。
e. 整體外護套或縱包屏蔽層要比繞包或編織屏蔽層好。
f. 頻率越高，屏蔽層越厚，屏蔽層數越多，屏蔽效果越好。
铝管外导体物理发泡射频同轴电缆
阻抗 Zc= 60 /√ℇ ×ln(D/d) Ω
电容： C = √ℇ /(3×Zc) ×10 PF/M
理论上：共模阻抗是单端阻抗的一半
差分阻抗：
假定在某一瞬间我们将两根走线用电阻端接到地。因为i1 = -i2，所以根本没有电流流经地。也就是说，没有真正的理由把电阻接地。事实上，有人认为，为了将差分信号和地噪声隔离，一定不能将它们连接到地。因此通常用单个电阻连接线1 与线2。电阻的值是线1和线2 差模阻抗的和，或：
Zdiff = 2*Z0*(1-k) 或
2*(Z11 - Z12)
这就是为什么你经常看到实际上一个差分对具有大约80Ω的差分阻抗，而每个单线阻抗是50Ω。
共模阻抗：
为了讨论完整起见，共模阻抗与上面略有不同。第一个差别是i1 = i2（没有负号），这样式3 就变成：
V1 = Z0*i1*(1+k) （4）
V2 = Z0*i1*(1+k)
并且正如所期望的，V1 = V2。因此单线阻抗是Z0*(1+k)。在共模情况下，两根线的端接电阻均接地，所以流经地的电流为i1+i2 且这两个电阻对器件表现为并联。也就是说，共模阻抗是这些电阻的并联组合，或：
Zcommon = (1/2)*Z0*(1+k)，或
Zcommon = (1/2)*(Z11 + Z12)
这里差分对的共模阻抗大约为差模阻抗的1/4。
单模是我们最熟悉的。它包括介于驱动器与接收器之间的单根导线或走线。信号沿走线传播并从地返回。
差模包括介于驱动器与接收器的一对走线（或导线）。我们一般认为其中一根走线传送正信号而另一根传送负信号，并且大小相等极性相反，没有通过地的返回信号；信号沿一根走线前进并从另外一根返回。
共模信号通常更难于理解。既可以包括单端走线也可以包括两个（可能更多）差分走线。同样的信号沿走线以及返回路径（地）或者沿差分对中的两根走线流动。
zzc:
屏蔽衰減：用A來表示(奈)，屏蔽衰減越大，屏蔽效果越好。
a. 屏蔽層越厚 b. 屏蔽用材料的電導係數σ越大越好，銅最好，其次鋁，鉛等。
c. 介質與金屬的波阻抗相差愈大，反射衰減愈大，屏蔽效果也愈大。
d. 多層屏蔽体比一層同厚度屏蔽体的屏蔽效果好。
e. 整體外護套或縱包屏蔽層要比繞包或編織屏蔽層好。
f. 頻率越高，屏蔽層越厚，屏蔽層數越多，屏蔽效果越好。
请教一下，c项如何理解？介质与金属的波阻抗相差越大是什么意思？
c项如何理解？介质与金属的波阻抗相差越大是什么意思？
屏蔽衰减定义为电缆内部信号功率强度与辐射到电缆外部的最大功率强度之比的对数值，用分贝（db）表示。这个比值越大，说明屏蔽性能越好；转移阻抗定义为在单位长度的电缆中，从被干扰系统中沿屏蔽层测得电压U与干扰系统中流过的电流I之比，用Ω/m表示。如果干扰系统中流过的电流不变，在电缆屏蔽表面测得的电压越小，即转移阻抗越低，则屏蔽质量越好，屏蔽效率越高。
转移阻抗=干扰系统中沿屏蔽层测得电压U / 干扰系统中流过的电流I
这是什么米技？
资料好像下不了，出现服务器错误，
可以看一下
以傳輸線而言 , 理論值為 Common = Diff /4 , 實測值約 Common = Diff / 3
过来学习的,谢谢!!
还是不错的，，，，谢谢了，，，，，謝謝分享
学习一下先。
不管是幾樓的,都謝謝啦
需要耐心一點來細讀
1/R=1/C1+1/C2
谢谢了
謝謝分享.
不要啦
还是没怎么看懂，假如一测试一条2米的线NG了，怎么计算在那个位置的不良。才利与分析。